Pokračování tohoto vývoje, a to tempem udávaným Mooreovým zákonem, přineslo mnohé inovace - v poslední době to byl "napnutý křemík" ("strained silicon" - představil Intel v roce 2003) a high-k/metal gate (představil Intel v roce 2007). Nyní se společnost Intel chystá přijít s další radikální změnou designu tranzistorů, jež nabídne nebývalou kombinaci výkonu a energetické účinnosti v široké škále počítačů: od serverů přes desktopy a notebooky až ke kapesním zařízením.
Poprvé v dějinách vstoupily křemíkové tranzistory do třetího rozměru. Společnost Intel právě představila tranzistor Tri-Gate, v němž je tranzistorový kanál pozvednut do třetího rozměru. Tok proudu je kontrolován na třech stranách kanálu (nahoře, vlevo a vpravo), a nikoli jen shora, jako je tomu v konvenčních plochých tranzistorech. Výsledkem je podstatně vyšší kontrola nad tranzistorem, maximalizace toku proudu (pro nejvyšší výkon) a naopak jeho minimalizace, když je tranzistor vypnutý.
Podívejme se na dějiny tranzistoru a jeho klíčové milníky v momentě, kdy Intel uvádí novou technologii polovodičů a zajišťuje pokračování Mooreova zákonu do budoucnosti.
Dějiny vývoje tranzistoru:
Článek ze dne 5. května 2011 - čtvrtek
Procesory Intel Atom: nové funkce a delší životnost baterie
Intel představuje dva nové šestijádrové a dvanáctivláknové procesory pro desktopy
Výpočetní technika pokořuje nové hranice
Ultrabook nabídne nejvyšší uživatelský komfort
Intel a Google spolupracují na optimalizaci budoucích verzí platformy Android
Ultrabook: novou kategorii mobilních počítačů podpoří fond Intel Capital
Česko propadlo sociálním sítím
Intel nabídne do konce roku 2020 výpočetní výkon na exaskalární úrovni
Ultrabook: nová kategorie tenkých a lehkých počítačů pro většinového uživatele
Literární soutěž o nejlepší sci-fi povídku zná své vítěze
Intel zveřejňuje Zprávu o firemní odpovědnosti za rok 2010
Čeští studenti excelovali na největší světové soutěži pro mladé vědce Intel ISEF
3D tranzistor Tri-Gate: úspory elektrické energie a zvýšení výkonu
60 let inovací ve vývoji tranzistorů
Finále celosvětové soutěže Intel ISEF s účastí českých studentů
Intel Challenge Europe 2011: přihlaste se do prvního kola soutěže
NAND Flash 20nm: nejvyspělejší technologie od Intel a Micron
Procesory Intel Xeon: nový standard pro high-endové počítačové aplikace
SSD 320 Series: třetí generace SSD disků Intel
Literární soutěž Intel na téma: Umělá inteligence za čtyřicet let
Intel SSD 510: nová řada SSD disků s podporou SATA s propustností 6Gbps
Intel Thunderbolt: technologie pro nejrychlejší připojení osobního počítače
FAB 42: nová továrna Intel v Arizoně
Intel a PRE společně budují moderní energetické sítě
Intel Medfield: nový procesor pro mobilní telefony vyrobený 32nm technologií